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失效分析晶圆级(FA)


对于所有半导体制造商和设计公司而言,确定故障设备(例如现场退货或新设计)的根本原因至关重要。

尤其复杂的故障分析(例如IC器件中的开路/浮动信号网络故障)是通过通过网络信号跟踪进行电微探测测量来完成的。发生故障时,定位需要聚焦的离子束(FIB)沉积,即所谓的“迷你焊盘”(例如5 x 5 µm)。

通过典型的热点和发射分析进行故障定位是另一种合适的缺陷识别方法。
基于亚微米探测或基于SEM,TEM,EDX,AFM工具的物理故障分析不是我们考虑的一部分。


主要要求:


  • 根据泄漏或简单的开路/短路测量验证电气,功能故障

  • 通过使用高阻抗Picoprobes,在“迷你焊盘”上进行内部节点微探测

  • 导航到“迷你焊盘”(可能在成千上万的复杂IC中)是一个挑战

  • 探针卡可启动IC,并且微探针必须同时通过多个单个探针完成

  • 这样的探针卡通常是定制的,并且通过包含接近DUT的有源组件,通常很长(> 13英寸)

  • 通过典型的热点和排放分析进行故障定位

  • 激光切割用于开放钝化或切割金属化层或线

  • 微动分析是晶圆级的另一组测量,特别与MEMS器件有关

  • 用于大功率设备故障分析的10 kV测试环境

  • 需要具有高光学分辨率的光学元件


特征与优势

适用于FA应用的在片测试解决方案提供了在最短的时间内以最大的信心获得准确测量结果所需的一切。高度稳定的Engineering Probe Systems  和高度精确的MicroPositioner  为电气故障验证,本地化和调试提供了最佳解决方案。隔震的环境以及宽变焦和高放大倍率显微镜可探测小至1微米的结构。   MPTS3000探针系统独特地同时使用探针卡和MicroPositioner(DUT驱动和内部信号测量),特别是在温度低至60°C的负温度下。  

压板到卡盘的低距离使得Picoprobing非常方便。

独特的MPI 激光切割机系统LCS-635专为准确而可靠的故障分析而设计,并且基于1064 nm,532 nm,355 nm或266 nm波长的可变配置提供了选择性去除多种半导体材料和金属的能力。  

我们的工程探针系统可轻松配置发射显微镜,例如Hamamatsu Photonics Japan的发射显微镜,以检测和定位IC故障。此外,TS150 / TS200-HP探针系统是等效分析 高达10 kV和600 A的大功率设备的理想选择  。  

 



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