在IP鉴定阶段使用峰值电流水平获得实际CDM电压白皮书

电子设备在其整个生命周期中都容易受到静电放电 (ESD) 损坏，尤其是从完成硅晶圆加工到设备组装到系统中。最常用的 ESD 测试模型是人体模型 (HBM) 和带电器件模型 (CDM)。这两种模型都评估设备的 ESD 敏感性，但是由于电子设备的自动化处理、制造和组装的快速增长，CDM 已成为现实世界中主要的 ESD 事件模型。

该本白皮书描述了 CDM ESD 事件，并解释了 IC 设计人员如何使用在接口 IP CDM 鉴定阶段测量的峰值电流水平来获得 SoC 的实际 CDM 电压水平。

本白皮书涉及的主题是：

• 带电设备模型的原理

• 在 CDM 模拟环境中进行测试

• 片上 ESD 网络

• 使用峰值电流进行接口 IP CDM 鉴定

• 评估最终产品中的 IP CDM 性能

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